Dettagli:
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| Materiale: | Rame del tungsteno | Densità: | 12,2 |
|---|---|---|---|
| CTE: | 12,5 | TC: | 310 |
| Evidenziare: | spalmatore di rame di calore del tungsteno,base di rame di calore del molibdeno |
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Spalmatore di calore del rame del tungsteno placcato oro, tungsteno d'imballaggio microelettronico Submount di rame
Descrizione:
(1) materiali ceramici: Al2O3 (A-90, A-95, A-99), BeO (B-95, B-99), AlN, ecc.;
(2) materiali a semiconduttore: Si, GaAs, SiGe, sic, Gap, GaAs, AlGaAs ecc.;
(3) materiale del metallo: Lega di Kovar (4J29), lega 42;
Vantaggi:
1. Alta conducibilità termica
2. Hermeticity eccellente
3. Planarità eccellente, finitura superficia e controllo di dimensione
4. (Ni/Au placcato) prodotti semilavorati o finiti disponibili
5. In basso vuoto
Proprietà del prodotto:
| Grado | Contenuto di W | Densità g/cm3 |
Coefficiente del termale Espansione ×10-6 (20℃) |
Conducibilità termica con (m. ·K) |
| 90WCu | 90±2% | 17,0 | 6,5 | 180 (25℃) /176 (100℃) |
| 85WCu | 85±2% | 16,4 | 7,2 | 190 (25℃)/183 (100℃) |
| 80WCu | 80±2% | 15,65 | 8,3 | 200 (25℃)/197 (100℃) |
| 75WCu | 75±2% | 14,9 | 9,0 | 230 (25℃)/220 (100℃) |
| 50WCu | 50±2% | 12,2 | 12,5 | 340 (25℃)/310 (100℃) |
Applicazione:
Sono usate estesamente come giunti di supporto termici, trasportatori di chip, flange di rame del tungsteno e strutture per la rf, diodi e rivelatori luminescenti, pacchetti del diodo laser come l'impulso, singolo emettitore, barre e trasportatori complessi per gli amplificatori dell'optoelettronica, ricevitori, trasmettitori, laser musicali, ecc.
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